O sistema de deposição de vapor químico enriquecido com plasma suporta tamanhos de bolacha até 6 polegadas, tal como confirmado por várias referências.Este tamanho padrão acomoda várias necessidades de deposição de película fina, equilibrando a eficiência do processo e a escalabilidade do equipamento.O design do sistema, incluindo o elétrodo inferior aquecido de 205 mm, alinha-se com esta capacidade de bolacha, permitindo revestimentos uniformes para aplicações de semicondutores, ópticas e de película de barreira.
Pontos-chave explicados:
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Tamanho máximo de bolacha suportado
- O sistema suporta wafers até 6 polegadas (150 mm) de diâmetro, um tamanho comum para investigação e produção à escala piloto.
- Esta capacidade é explicitamente indicada em três referências independentes, garantindo a fiabilidade.
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Compatibilidade do projeto do equipamento
- O elétrodo elétrodo inferior de 205 mm (maior do que a pastilha de 6\") assegura uma distribuição uniforme do plasma e o controlo da temperatura durante a deposição.
- A porta de bombagem de 160 mm mantém condições de vácuo consistentes, críticas para uma qualidade de película uniforme.
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Vantagens do processo para 6\"Wafers
- Deposição a baixa temperatura (permitida por PECVD) evita o stress térmico em bolachas maiores.
- O software de aumento de parâmetros permite um controlo preciso das propriedades da película em toda a superfície da bolacha.
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Aplicações típicas
- Semicondutores:Deposição de camadas isolantes à base de silício.
- Embalagem:Películas de barreira a gases para produtos alimentares/farmacêuticos (por exemplo, proteção contra o oxigénio/humidade).
- Ótica/revestimentos:Carbono tipo diamante (DLC) para resistência ao desgaste.
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Considerações sobre escalabilidade
- Embora 6\" seja o máximo referenciado, wafers mais pequenos (por exemplo, 4\") também podem ser processados utilizando o mesmo sistema.
- O cápsula de gás de 12 linhas suporta diversos gases precursores para películas personalizadas sem alterações de hardware.
Para produção de grandes volumes, os utilizadores devem verificar se estão disponíveis sistemas maiores (por exemplo, 8\" ou 12\"), uma vez que este modelo se centra na versatilidade para necessidades de média escala.A combinação de eléctrodos aquecidos, controlo de gás e uniformidade de plasma torna-o ideal para protótipos ou revestimentos especializados.
Tabela de resumo:
| Caraterística | Especificação |
|---|---|
| Tamanho máximo da pastilha | 6 polegadas (150 mm) |
| Tamanho do elétrodo inferior | 205 mm (assegura uma distribuição uniforme do plasma) |
| Porta de bombagem | 160 mm (mantém a estabilidade do vácuo) |
| Aplicações principais | Semicondutores, películas de barreira, revestimentos ópticos (por exemplo, DLC) |
| Escalabilidade | Compatível com wafers mais pequenos (por exemplo, 4\") e diversos gases precursores |
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