As plataformas PECVD (sistema de deposição de vapor químico melhorado por plasma) acomodam uma gama de tamanhos de substrato para satisfazer diversas necessidades de aplicação, com dimensões comuns incluindo 50 mm x 50 mm, 100 mm x 100 mm e 150 mm x 150 mm, bem como tamanhos de bolacha até 6 polegadas.Estes sistemas são altamente versáteis, capazes de depositar vários materiais como dieléctricos, nitretos e metais em substratos feitos de carbonetos de tungsténio, cerâmica e outros materiais compatíveis.A sua adaptabilidade a diferentes formas e tamanhos de substratos torna-os adequados para várias indústrias, desde o fabrico de semicondutores à investigação de materiais avançados.
Explicação dos pontos principais:
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Tamanhos de substrato padrão suportados
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Os sistemas PECVD suportam normalmente substratos quadrados com as seguintes dimensões
- 50 mm × 50 mm
- 100 mm × 100 mm
- 150 mm × 150 mm
- Para aplicações baseadas em bolachas, estes sistemas podem lidar com tamanhos até 6 polegadas de diâmetro, satisfazendo as necessidades de fabrico de semicondutores.
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Os sistemas PECVD suportam normalmente substratos quadrados com as seguintes dimensões
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Versatilidade de materiais do PECVD
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Estes sistemas depositam uma vasta gama de materiais, incluindo:
- Dieléctricos (por exemplo, SiO₂, Si₃N₄)
- Dieléctricos de baixo k (por exemplo, SiOF, SiC)
- Nitretos (por exemplo, SiNₓ)
- Metais e estruturas híbridas
- A tecnologia permite dopagem in-situ , melhorando a funcionalidade para aplicações especializadas como a optoelectrónica ou MEMS.
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Estes sistemas depositam uma vasta gama de materiais, incluindo:
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Compatibilidade de substratos
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O PECVD trabalha com diversos materiais de substrato, tais como:
- Carbonetos de tungsténio e aços para ferramentas (para revestimentos resistentes ao desgaste)
- Ligas de níquel de alta temperatura (para componentes aeroespaciais)
- Cerâmica e grafite (para aplicações térmicas ou eléctricas)
- O sistema adapta-se a estruturas planas, curvas ou porosas garantindo a deposição uniforme da película, mesmo em geometrias complexas.
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O PECVD trabalha com diversos materiais de substrato, tais como:
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Aplicações em todos os sectores
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A flexibilidade no tamanho do substrato e a compatibilidade de materiais tornam o PECVD ideal para:
- Fabrico de dispositivos semicondutores (por exemplo, camadas de passivação de nitreto de silício)
- Revestimentos ópticos (por exemplo, películas antirreflexo de SiOx)
- Revestimentos de proteção para ferramentas industriais
- A sua capacidade de depositar películas conformes e sem espaços vazios garantem resultados de alta qualidade, essenciais para tecnologias avançadas.
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A flexibilidade no tamanho do substrato e a compatibilidade de materiais tornam o PECVD ideal para:
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Preparados para o futuro
- Com suporte para substratos de 150 mm × 150 mm e wafers de 6 polegadas Os sistemas PECVD, de acordo com as tendências de produção em grande escala e de integração em dispositivos da próxima geração.
- A adaptabilidade da tecnologia a novos materiais (por exemplo, camadas à base de carbono) posiciona-a como uma pedra angular para campos emergentes como a eletrónica flexível ou o armazenamento de energia.
Para mais pormenores sobre as capacidades do sistema, explore o nosso recurso sobre sistemas de deposição de vapor químico com reforço de plasma .
Tabela de resumo:
| Caraterística | Detalhes |
|---|---|
| Tamanhos de substrato padrão | 50 mm × 50 mm, 100 mm × 100 mm, 150 mm × 150 mm e wafers de até 6 polegadas |
| Versatilidade de materiais | Dieléctricos, nitretos, metais e estruturas híbridas com dopagem in-situ |
| Compatibilidade de substratos | Carbonetos de tungsténio, cerâmicas, ligas de alta temperatura e geometrias complexas |
| Aplicações principais | Fabrico de semicondutores, revestimentos ópticos, películas industriais de proteção |
| Preparados para o futuro | Apoia campos emergentes como a eletrónica flexível e o armazenamento de energia |
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