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Elementos de aquecimento térmico de carboneto de silício SiC para forno elétrico

Thermal Elements

Elementos de aquecimento térmico de carboneto de silício SiC para forno elétrico

Número do item : KT-SH

O preço varia com base em especificações e personalizações


Gama de temperaturas de funcionamento
600°C a 1600°C
Gama de resistência
0,3-8,6 ohms
Condutividade térmica
14-19W/m-K (a 1000°C)
ISO & CE icon

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Aproveitando a excecional I&D e o fabrico interno, a KINTEK fornece a diversos laboratórios soluções avançadas de fornos de alta temperatura. A nossa linha de produtos, incluindo mufla, tubo, fornos rotativos, fornos de vácuo e atmosfera e sistemas CVD/PECVD/MPCVD, é complementada pela nossa forte capacidade de personalização profunda para satisfazer com precisão requisitos experimentais únicos.

Como componente central para alcançar altas temperaturas precisas e fiáveis nestes sistemas e não só, os nossos elementos de aquecimento de carboneto de silício (SiC) incorporam este compromisso com a qualidade, o desempenho e as soluções personalizadas.

Apresentação visual: Os nossos elementos de aquecimento de SiC

Diferentes tipos de elementos de aquecimento de carboneto de silício (SiC)
Diferentes tipos de elementos de aquecimento de carboneto de silício (SiC) disponíveis para várias aplicações.

Elementos de aquecimento de carboneto de silício em grande plano

Vista detalhada dos elementos de aquecimento de carboneto de silício

Compreender os elementos de aquecimento de carboneto de silício (SiC)

Os elementos de aquecimento de carboneto de silício (SiC) são dispositivos cerâmicos de elevado desempenho, essenciais para fornos eléctricos que funcionam a temperaturas extremas. Reconhecidos pela sua elevada condutividade eléctrica e excecional resistência ao calor, estes elementos são fabricados a partir de um composto especializado de silício e carbono. Formados através de um processo de recristalização a temperaturas superiores a 2150°C, os elementos de aquecimento SiC oferecem uma notável longevidade e eficiência energética. São incrivelmente versáteis, estão disponíveis em várias configurações e são ideais para aplicações que requerem temperaturas de 600°C a 1600°C, tornando-os indispensáveis em indústrias como a metalurgia, a cerâmica e o fabrico de semicondutores.

Porquê escolher os elementos de aquecimento SiC da KINTEK? Principais vantagens

Os elementos de aquecimento de Carbeto de Silício (SiC) da KINTEK oferecem inúmeras vantagens, tornando-os uma escolha superior para uma ampla gama de aplicações de alta temperatura. Os nossos elementos, fabricados a partir do composto cerâmico duro carborundum (silício e carbono), asseguram uma elevada condutividade eléctrica e uma durabilidade excecional.

  • Desempenho a altas temperaturas: Funcionam eficientemente a temperaturas que variam entre 600°C e 1600°C, perfeitas para fornos e processos exigentes de alta temperatura.
  • Eficiência energética: Apresentam uma pequena resistência de extremidade quente, o que permite poupanças de energia significativas, minimizando o calor desperdiçado e aumentando a eficiência global do sistema de aquecimento.
  • Longa vida útil: A construção robusta em cerâmica garante uma vida útil mais longa em comparação com outros elementos de aquecimento, especialmente em ambientes corrosivos ou exigentes.
  • Controlo preciso da temperatura: Obtenha um controlo preciso e estável da temperatura, crucial para melhorar a qualidade e a consistência dos seus produtos e resultados experimentais.
  • Benefícios ambientais e de segurança: Elimina a necessidade de gases de combustão, melhorando a segurança no local de trabalho e reduzindo o impacto ambiental, contribuindo para um ambiente de trabalho mais limpo.
  • Versatilidade no design: Disponíveis em várias configurações, os nossos elementos de aquecimento SiC podem ser adaptados a aplicações específicas, prolongando a sua vida útil e eficácia.
  • Custo-benefício: Ao mesmo tempo que oferecem um desempenho de topo, os elementos SiC proporcionam poupanças a longo prazo através de uma eficiência energética superior e de um tempo de vida útil alargado, reduzindo os custos operacionais globais.
  • Radiação de potência melhorada: Capaz de irradiar uma potência mais elevada, benéfica para processos que requerem um aquecimento rápido ou a manutenção da estabilidade a altas temperaturas.

Com a profunda capacidade de personalização da KINTEK, podemos adaptar os elementos de aquecimento SiC às suas necessidades experimentais exactas. Discuta os seus requisitos com os nossos especialistas hoje mesmo.

Aplicações versáteis

Os elementos de aquecimento SiC são amplamente utilizados em máquinas, metalurgia, produtos químicos leves, cerâmica, semicondutores, testes analíticos, pesquisa científica e muito mais, servindo como o principal componente de aquecimento elétrico em vários fornos elétricos e fornos, como fornos de túnel, fornos de rolos, fornos de vidro, fornos a vácuo, fornos de mufla, fornos de fundição e diversos equipamentos de aquecimento. As principais áreas de aplicação incluem:

  • Metalurgia: Crucial para processos de fundição, refinação e tratamento térmico na produção de metais.
  • Cerâmica: Essencial para a cozedura e sinterização, garantindo um aquecimento uniforme e produtos cerâmicos de alta qualidade.
  • Fabrico de vidro: Vital para fundir e dar forma ao vidro, exigindo temperaturas elevadas consistentes e precisas.
  • Processamento de produtos químicos: Utilizados em reactores químicos e unidades de processamento que exigem ambientes controlados de alta temperatura.
  • Fornos de laboratório: Parte integrante de fornos de investigação científica e de testes analíticos para várias experiências de alta temperatura.
  • Fabrico de semicondutores: Fornece o controlo preciso da temperatura necessário para a produção de semicondutores e componentes electrónicos.
  • Testes ambientais: Utilizados em câmaras que simulam condições extremas de temperatura para testes de durabilidade de produtos.
  • Processamento de alimentos: Utilizado em fornos industriais e equipamentos que requerem processamento a alta temperatura.

Personalização e dimensionamento: Encontrar o ajuste perfeito

Compreendemos que experiências únicas requerem soluções específicas. A KINTEK oferece uma gama de elementos de aquecimento SiC e a experiência para o ajudar a selecionar ou personalizar o ajuste perfeito para a sua aplicação de alta temperatura.

Como especificar o modelo do seu elemento de aquecimento SiC

Diagrama que mostra como marcar o modelo de elemento de aquecimento de carboneto de silício (SiC)

  • OD: Diâmetro externo
  • HZ: Comprimento da zona quente
  • CZ: Comprimento da zona fria
  • OL: Comprimento total

Exemplo: Para um elemento do tipo SCR com OD = 8 mm, HZ = 100 mm, CZ = 130 mm, OL = 230 mm, e Resistência 4,46 ohms, pode especificar o seu modelo como: 8*100*230 / 4,46 ohms .

Disponibilidade do elemento de aquecimento SiC padrão:

OD HZ CZ OL Resistência
8mm 100-300mm 60-200mm 240-700mm 2,1-8,6 ohms
12 mm 100-400mm 100-350mm 300-1100mm 0,8-5,8 ohms
14 mm 100-500mm 150-350mm 400-1200 0,7-5,6 ohms
16 mm 200-600mm 200-350mm 600-1300 0,7-4,4 ohms
18 mm 200-800mm 200-400mm 600-1600 0,7-5,8 ohms
20 mm 200-800mm 250-600mm 700-2000mm 0,6-6,0 ohms
25 mm 200-1200mm 250-700mm 700-2600mm 0,4-5,0 ohms
30 mm 300-2000mm 250-800mm 800-3600mm 0,4-4,0 ohms
35 mm 400-2000mm 250-800mm 900-3600mm 0,5-3,6 ohms
40 mm 500-2700mm 250-800mm 1000-4300mm 0,5-3,4 ohms
45 mm 500-3000mm 250-750mm 1000-4500mm 0,3-3,0 ohms
50 mm 600-2500mm 300-750mm 1200-4000mm 0,3-2,5 ohms
54mm 600-2500mm 300-750mm 1200-4000mm 0,3-3,0 ohms

Precisa de uma configuração específica não listada ou não tem a certeza de qual o elemento de aquecimento SiC adequado para a sua aplicação? Aproveite a experiência da KINTEK em personalização profunda. Contacte-nos através do formulário abaixo para detalhar os seus requisitos experimentais únicos e receber uma solução personalizada.

Especificações técnicas

Propriedades físicas

Densidade a granel 2,5g/cm³
Porosidade 23%
Condutividade térmica 14-19W/m-K (a 1000°C)
Resistência à rutura 50MPa (a 25°C)
Calor específico 1.0kJ/kg-K (a 25~1300°C)
Coeficiente de expansão térmica 4.5 × 10-⁶ /K

Propriedades químicas

Os elementos de aquecimento de carboneto de silício exibem boa estabilidade química e forte resistência a ácidos. No entanto, a altas temperaturas, as substâncias alcalinas podem causar erosão.

O uso prolongado de elementos de carboneto de silício acima de 1000 ° C pode levar a reações com oxigênio e vapor de água:

① SiC + 2O₂ → SiO₂ + CO₂

② SiC + 4H₂O → SiO₂ + 4H₂ + CO₂

Consequentemente, o teor de SiO₂ no elemento aumenta gradualmente, e sua resistência aumenta lentamente, levando ao envelhecimento. O excesso de vapor de água pode acelerar a oxidação do SiC. O H₂ gerado pela reação ② pode combinar-se com o O₂ no ar, reformando o H₂O e criando um ciclo prejudicial que reduz a vida útil do componente. O hidrogénio (H₂) também pode reduzir a resistência mecânica dos componentes. O nitrogénio (N₂) abaixo de 1200°C pode evitar a oxidação do SiC; acima de 1350°C, pode reagir com o SiC, causando a decomposição. O cloro (Cl₂) pode decompor completamente o SiC.

Orientação para a instalação

A instalação adequada é fundamental para maximizar o desempenho e a vida útil dos seus elementos de aquecimento SiC. Para obter instruções detalhadas e melhores práticas, consulte nosso guia: Precauções para instalação de hastes de carbeto de silício.

Para mais assistência, configurações personalizadas ou para discutir as suas necessidades específicas de fornos de alta temperatura, por favor contacte os nossos especialistas KINTEK utilizando o formulário abaixo . Estamos prontos para o ajudar a obter os melhores resultados.

FAQ

Quais São As Principais Aplicações De Elementos De Aquecimento Como MoSi2 E SiC?

Os elementos de aquecimento como o dissiliceto de molibdénio (MoSi2) e o carboneto de silício (SiC) são amplamente utilizados em aplicações de alta temperatura, incluindo fornos de tratamento térmico, fabrico de vidro, produção de cerâmica, materiais refractários, metalurgia, siderurgia, crescimento de cristais, fabrico de peças electrónicas e processamento de materiais semicondutores.

Quais São As Vantagens Da Utilização De Elementos De Aquecimento MoSi2?

Os elementos de aquecimento MoSi2 oferecem alto desempenho com a capacidade de atingir temperaturas de até 1800°C. Têm uma resistência superior à oxidação, são duráveis, fiáveis e podem ser personalizados para aplicações específicas de alta temperatura.

Quais São As Vantagens Dos Elementos De Aquecimento SiC?

Os elementos de aquecimento de carboneto de silício (SiC) fornecem aquecimento de alto desempenho com uma faixa de temperatura de 600-1600°C. Eles são conhecidos por sua precisão, eficiência energética, longa vida útil e disponibilidade de soluções personalizadas para várias necessidades industriais.

Porque é Que Os Elementos De Aquecimento Cerâmicos E Semicondutores Como O MoSi2 E O SiC São Adequados Para Ambientes De Alta Temperatura?

Os elementos de aquecimento cerâmicos e semicondutores, como o MoSi2 e o SiC, têm uma densidade moderada e pontos de fusão elevados, o que os torna ideais para ambientes de alta temperatura. Formam camadas protectoras de dióxido de silício a altas temperaturas, o que aumenta a sua durabilidade e resistência à oxidação.

Os Elementos De Aquecimento MoSi2 E SiC Podem Ser Personalizados?

Sim, os elementos de aquecimento MoSi2 e SiC podem ser personalizados para satisfazer os requisitos específicos de diferentes aplicações de alta temperatura, garantindo um ótimo desempenho e eficiência para vários processos industriais.
Veja mais perguntas frequentes sobre este produto

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