O forno tubular de 3 zonas é um dispositivo de aquecimento versátil concebido para um processamento térmico preciso em aplicações industriais e de investigação.O design segmentado do aquecedor permite o controlo independente da temperatura em três zonas, possibilitando um aquecimento uniforme, gradientes térmicos complexos e uma programação flexível.As principais utilizações incluem o recozimento e a deposição química de vapor (CVD) abaixo dos 1000°C, com capacidades de fornecimento de gás e manuseamento de amostras até 60 mm.Este equipamento é excelente na criação de ambientes térmicos personalizados para a ciência dos materiais, processamento de semicondutores e necessidades de fabrico avançadas em que a variação espacial da temperatura é crítica.
Pontos-chave explicados:
-
Controlo de temperatura multi-zona
- O forno tubular de 3 zonas possui três zonas de aquecimento controladas de forma independente ao longo do seu comprimento
- Permite a criação de gradientes de temperatura precisos (por exemplo, 50°C/cm) para perfis térmicos especializados
- Permite diferentes temperaturas simultâneas (por exemplo, 800°C/600°C/400°C) num processo contínuo
-
Aplicações principais
- Recozimento :Alívio de tensões e modificação da microestrutura de metais, cerâmicas e semicondutores
- Deposição química de vapor :Crescimento de películas finas com precursores em fase gasosa em atmosferas controladas
- Investigação de materiais :Estudo de transições de fase, comportamentos de sinterização e degradação térmica
-
Vantagens operacionais
- Acomoda amostras ≤60mm de diâmetro com aquecimento uniforme
- O coletor de gás integrado suporta atmosferas inertes (N₂, Ar) ou reactivas (H₂, O₂)
- Os controladores digitais permitem ciclos de rampa/imersão programáveis em cada zona
-
Especificações técnicas
- Temperatura máxima:Tipicamente 1000-1200°C (varia consoante o modelo)
- Taxa de aquecimento:Ajustável, normalmente 1-20°C/minuto
- Uniformidade de temperatura: ±1-5°C dentro de cada zona
-
Comparação com outros fornos
- Ao contrário dos fornos de zona única, permite uma variação térmica espacial
- Comparado com fornos de mufla oferece um melhor controlo da atmosfera
- Mais flexível do que os fornos rotativos para o processamento estático de amostras
Já pensou em como o controlo de zona independente pode permitir novas concepções experimentais?Esta capacidade permite aos investigadores simular processos térmicos industriais (como fornos contínuos) mantendo a precisão laboratorial.A capacidade de criar gradientes de temperatura controlados torna-o particularmente valioso para estudos de difusão, engenharia de interfaces e desenvolvimento de materiais com gradientes.
Tabela de resumo:
Caraterística | Vantagem |
---|---|
Controlo de temperatura multi-zona | Permite gradientes térmicos precisos e temperaturas diferentes em simultâneo |
Aplicações principais | Recozimento, CVD, investigação de materiais com atmosferas controladas |
Vantagens operacionais | Aquecimento uniforme, suporte de coletor de gás, ciclos programáveis |
Especificações técnicas | Até 1200°C, taxas de aquecimento ajustáveis, uniformidade de ±1-5°C por zona |
Melhore as capacidades de processamento térmico do seu laboratório com os avançados fornos tubulares de 3 zonas da KINTEK! As nossas soluções de engenharia de precisão oferecem uma flexibilidade inigualável para recozimento, CVD e investigação de materiais, com uma personalização profunda para satisfazer as suas necessidades experimentais exactas.Quer necessite de aquecimento uniforme, gradientes térmicos complexos ou atmosferas controladas, os nossos fornos oferecem um desempenho fiável. Contacte-nos hoje para saber como podemos criar uma solução à medida da sua investigação ou aplicação industrial.
Produtos que poderá estar à procura:
Explorar janelas de observação de alto vácuo para monitorização de fornos Descubra válvulas de vácuo de precisão para atmosferas controladas Atualização com passagens de eléctrodos de ultra-vácuo Melhorar os processos CVD com sistemas de diamante MPCVD Otimizar o aquecimento com elementos térmicos de SiC